北京大面积二硫化钼基底板延世大学Jong-HyunAhn和韩国大学的SooYoungKim（共同通讯作者）等人展示了一种基于二维材料底板晶体管的可穿戴全色OLED显示设备。

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技术图5N117和CRIS膜中水透膜迁移的机理a）CRIS和N117的SAXS谱（d是布拉格间距）。然而，有限由于严重的活性物质交叉互串和自放电等技术难点，导致该体系容量衰减快，服务寿命短，极大地阻碍了多硫化物基RFBs的商业化进程。

公司g）3.0 h内完全水合的N117失水的原位1HMASssNMR。CRIS膜有效地排斥了多硫化物和多碘化物的交叉互串，北京抑制了膜的吸水溶胀，减轻了水/OH-的迁移，有利于双侧电化学活性物质的充分转化。